溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，溅射产生的原子沉积在基体表面形成PVD涂层。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成PVD涂层。磁控溅射镀膜技术是在溅射镀膜基础上发展而来，与溅射镀膜相比，沉积速率更快，涂层致密且与基体附着性好，适合大批量PVD涂层生产。在发展过程中，磁控溅射镀膜技术出现了不少分类，下面，小编为大家分享一下磁控溅射镀膜代表性方法有哪些吧。
一、平衡磁控溅射镀膜技术
这是传统的磁控溅射镀膜技术，将永磁体或电磁线圈放到在靶材背后，在靶材表面会形成与电场方向垂直的磁场。在高压作用下氩气电离成等离子体，Ar+离子经电场加速轰击阴极靶材，靶材二次电子被溅射出，且电子在相互垂直的电场及磁场作用下，被束缚在阴极靶材表面附近，增加了电子与气体碰撞的几率，即增加了氩气电离率，使氩气在低气体下也可维持放电，因而磁控溅射既降低了溅射气体压力，同时也提高了溅射效率及沉积速率。
但传统磁控溅射有一些缺点，比如：低气压放电产生的电子和戳射出的靶材二次电子都被束缚在靶面附近大约60mm的区域内，这样工件只能被安放在靶表面50~100mm的范围内。这样小的镀膜区间限制了待镀工件的尺寸，较大的工件或装炉量不适合传统方法。
二、非平衡磁控溅射镀膜技术
这种磁控溅射镀膜方法部分解决了平衡磁控溅射的不足，是将靶面的等离子体引到靶前200~300mm的范围内，使阳极基片沉浸在等离子体中，减少了粒子移动的距离，离子束起到辅助沉积的作用。然而单独的非平衡磁控靶在基片上很难沉积出均匀的薄膜层，因此开发出多靶非平衡磁控溅射镀膜技术，弥补了单靶非平衡磁控溅射的不足。
PVD涂层
三、反应磁控溅射镀膜技术
随着表面工程技术的发展，越来越多地用到各种化合物薄膜材料。可以直接使用化合物材料制作的靶材通过溅射来制备化合物薄膜，也可在溅射金属或合金靶材时，通人一定的反应气体，通过发生化学反应制备化合物薄膜，后者被称为反应磁控溅射。一般来说纯金属作为靶材和气体反应较容易得到高质量的化合物薄膜，因而大多数化合物薄膜是用纯金属为靶材的反应溅磁控射来制备的。
四、中频磁控溅射镀膜技术
这种镀膜方法是将磁控溅射电源由传统的直流改为中频交流电源。在溅射过程中，当系统所加电压处在交流电负半周期时，靶材被正离子轰击而溅射，而处于正半周期时，靶材表面被等离子体中的电子轰击而溅射，同时靶材表面累积的正电荷被中和，打弧现象得到抑制。中频磁控溅射电源的频率通常在10-80kHz之间，频率高，正离子被加速的时间就短，轰击靶材时的能量就低，溅射沉积速率随之下降。中频磁控溅射系统一般有两个靶，这两个靶周期性轮流作为阴极和阳极，一方面减小了基体溅伤；另一方面也弱化了打弧现象。
上述即是磁控溅射镀膜代表性方法有哪些的大致介绍，可以看出，磁控溅射镀膜技术经过长期发展，衍生出许多分支，形成不同的特色，也因此得到更广泛的应用，制备的PVD涂层性能更好。材料科技采用良好制备工艺，为客户提供良好的PVD涂层制品，欢迎有需要的客户致电咨询。
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